颁奖词：“就像她从事的课题那样，学薇同学在石墨烯实验室中也像聚合物保护层，把各位师弟师妹保护与团结成一个完整的石墨烯膜，让他们能够肆意地在各自的方向里去发挥才智、做出成果。有了学薇同学，石墨烯实验室的日常运转和管理变得如此轻松——除此以外，当然也不能忽视了她自己取得的科研成绩。” —— 提名人 赵沛老师

张学薇，浙江大学2015级航空航天学院固体力学专业直博生，第五届交叉力学之星获得者。研究生期间曾获国防科技奖学金、光华奖学金、魏绍相二等奖学金、校优秀研究生、院优秀博士生、以及第一届和第四届纳米之星等。

科研成果显著，负责“双层石墨烯CVD制备”、“CVD石墨烯转移”等研究课题，发表SCI论文两篇一作（另一篇在投），三篇二作，EI综述论文一作一篇。曾赴韩国基础科学研究中心多维碳材料中心进行为期一年的海外学术交流，师从世界百大材料学家第16位的Rodney Ruoff教授。

“一花一世界”，宇宙中每个人都宛如一粒沙尘，虽然渺小，却也自成一个世界，渺小而不弱小。张学薇认为，每个人以自己的方式生活在宇宙中，应该享受自己的人生，奉献各自的力量，石墨烯亦如此。每一个碳原子以它们的方式聚集在一起，用化学键连接，合成一片石墨烯。碳原子从甲烷中裂解得到，在高温炉中翻滚前行，在铜表面迁移穿梭，寻找合适的位置着陆搭窝。连成片的碳原子形成石墨烯，附着在制备衬底上，附着在转移介质上，附着在目标基底上。

对于石墨烯，张学薇从材料制备和转移角度，开展了以下工作：

“碳原子的面内和面外结构”

针对碳原子连接的位置和角度方式，张学薇利用氧气辅助的化学气相沉积法，结合同位素标记，研究了石墨烯CVD生长过程中的结构和堆垛，提出双层石墨烯中两种不同的生长模式，并利用大面积拉曼扫描和原子力显微镜来分析石墨烯转角问题。研究发现，氧化过程能够改变铜基底表面构成，降低石墨烯成核密度并加速晶畴生长，同时修饰石墨烯边缘结构，使石墨烯下方聚集生成第二层石墨烯片，并根据同位素构成分析石墨烯的原子构成，提出同步生长模式和分步生长模式。两种生长模式区别于第二层石墨烯的生长时间，其原因可能与第一层石墨烯晶畴尺寸相关，同时，根据对实验数据的统计发现，不同的生长机制不影响其中堆垛结构的分布比例。对于石墨烯碳原子面内连接时产生的转角和晶界问题，可能与铜基底的表面粗糙度相关。相关工作正在投稿中。

针对目前CVD制备双层石墨烯的学术研究，张学薇归纳总结在铜基底和镍基底上单层、少层石墨烯的制备问题，从制备基底出发，对不同基底上石墨烯合成的原理出发，对双层石墨烯的制备进行归类总结。对于金属衬底上石墨烯的质量，文章从层数、结构、堆垛等角度分析，并总结现阶段双层石墨烯不同制备方法中石墨烯的尺寸、覆盖率等参数。相关工作作为综述论文发表在《表面技术》上。

“移动中碳原子的结构稳定”

张学薇介绍，石墨烯转移技术是衔接石墨烯制备与应用的关键技术，在石墨烯产业化过程中具有重要地位。针对CVD生长的石墨烯薄膜，她采取双电极电化学刻蚀的方法，使铜基底在刻蚀过程中具有方向性，从而释放石墨烯中的内应力，并有效减少转移过程中产生的褶皱、破损等缺陷，提高转移后石墨烯的质量。在铜基底刻蚀过程中，通过施加一对铜电极，使铜电极、刻蚀液、铜/石墨烯片形成双电极，可以定向控制刻蚀的方向，有效减少垂直方向的高度差，降低对石墨烯的破坏。对转移得到的石墨烯薄膜进行表面形貌表征、电学性能测试，均表示转移质量优于传统石墨烯转移方法。相关工作发表在Nanoscale上。

定向刻蚀从有序化的角度改善了石墨烯转移过程中对材料的干扰，而水转印方法就是从根本上避免了转移过程中聚合物介质对材料的破坏，最大程度地保留了CVD石墨烯的高质量。张学薇针对目前转移技术中的问题，提出一种新的无聚合物石墨烯转移方法——水转印方法，即利用可挥发的正庚烷和刻蚀液形成双液相，利用凸液面、抗皱剂进一步减少对石墨烯的影响，并通过改进拾取方式将石墨烯转移到各种目标衬底上。水转印方法从根本上解决了聚合物的残留问题，实现了转移石墨烯完整且干净、缺陷程度低。相关工作发表在Carbon上。

邻近毕业季到来，张学薇用自己的坚持、耐心、天赋和努力为五年的博士生生涯画上了一个圆满的句号，收获满满，感悟也满满。但对于更远的人生来说，这只是一个逗号，在即将奔赴的下一个岗位里，她一定也能够迸发出更加闪耀的光芒。